Наука и технологии России

Вход Регистрация

Кремний меняют на органику?

Мировое научное сообщество с 18 по 22 сентября 2017 году обсудит тренды развития электронной и полупроводниковой промышленности в Томском государственном университете на площадке Международного Форума NGC/CTRP 2017 по проблемам электроники, фотоники, радиофизики и альтернативной энергетики. Форум является объединением мероприятий: 7-й Нано и Гига Форум (NGC 2017) и 7-я конференция по актуальным проблемам радиофизики. Сопредседатель конференции, советник ректора ТГУ Григорий Ефимович Дунаевский рассказал о трендах и серьезных изменениях, которые происходят сегодня в мире полупроводниковой и электронной промышленности.

- Первый тренд касается технологий получения новых полупроводниковых материалов на основе сложных многокомпонентных соединений германия, кремния, индия, галлия, которые приходят на замену подложек из кремния, арсенида галлия и иных привычных материалов. Специалисты ТГУ входят в научные консорциумы, которые занимаются вопросами разработки технологий и оборудования для получения сложных многокомпонентных полупроводниковых пластин, создания бездефектных кристаллов. Эти материалы сегодня проходят апробацию при создании изделий в сфере радиоэлектроники, альтернативной энергетики, портативных источниках тока. И вопросы разработки технологий получения таких материалов являются актуальными для материаловедов всего мира, собираемых на Международном Форуме NGC/CTRP 2017.

– Второй наиболее яркий тренд в электронике сегодня - это создание технологий получения низкоразмерной элементной базы и решение вопросов, связанных с созданием приборов с пониженным потреблением электроэнергии и напряжением электропитания, с высокой плотностью хранения заряда и энергии, а также вопросы разработки микросхем для работы в экстремальных условий (космос, Арктика), интеллектуальных сетей сенсоров и микророботов. При этом значительно меняются технологии получения полупроводниковых материалов и микросхем в результате уменьшения размера планарных, двухмерных элементов и возрастающей сложностью формирования наноразмерных структур для производства изделий с минимальными размерами элементов ?20 нм. Все больше возрастает потребность использования технологии интеграции – гетероинтеграции, когда на одном чипе/корпусе объединяются различные модули и устройства (повышает компактность размещения устройств при планарной технологии) и 3D-интеграции, которая обеспечивает высокую плотность интеграции компонентов малых размеров при малых габаритах устройств путем компактного размещения элементов не только в плоскости, но и в объеме материала (послойное формирование элементов устройств).

Третий, пока не самый мощный, но, на наш взгляд, чрезвычайно перспективный тренд связан с применением в электронике органических материалов. Эти работы также ведутся в ТГУ, соответствующая секция в рамках Форума планируется.

При работе с технологиями интеграции и переходе на нанотехнологии, конечно же, огромную роль начинает играть вопрос дизайна материалов и изделий. Этому блоку будет посвящен ряд докладов на Форуме, дискуссионных совещаний между томскими и приглашенными экспертами, сателлитное мероприятие для студентов российских вузов от представителей ведущих компаний Кремниевой долины по программированию на чипах и компьютерной архитектуре.

Регистрация на Форум открыта на сайте http://nanoandgiga.com/ngc2017.

РЕЙТИНГ

3.60
голосов: 5

Обсуждение